DMN6070SSD-13 - Diodes Incorporated

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Kynix Teil #: KY13-DMN6070SSD-13
Hersteller Teil #: DMN6070SSD-13
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
23 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Weight  
73.992255mg
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
35 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Published  
2011
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation  
1.5W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Reference Standard  
AEC-Q101
Number of Channels  
2
Element Configuration  
Dual
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
1.5W
Turn On Delay Time  
3.5 ns
Power - Max  
1.2W
FET Type  
2 N-Channel (Dual)
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
80m Ω @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
588pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
12.3nC @ 10V
Rise Time  
4.1ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
60V
Fall Time (Typ)  
11 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3.3A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain to Source Breakdown Voltage  
60V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
5.9 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
Height  
1.5mm
Length  
4.95mm
Width  
3.95mm
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
DMN6070SSD-13 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 5000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 0.67807
Menge. Stückpreis
1+: $0.67807
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100+: $0.60348
500+: $0.56932
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